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高功率单发射器天博综合体育中国官方网站二极管

从单个发射器设备获得808nm或9xxnm的多瓦输出功率,用于泵浦下一代光纤天博综合体育中国官方网站器和其他高功率半导体天博综合体育中国官方网站器应用。

这些天博综合体育天博综合体育天博综合体育天博综合体育中国官方网站官方网站官方网站官方网站二极管p p面朝下安装在与c型安装座相连的基座上。它们采用我们独有的e2前镜钝化工艺,即使在极高的输出功率下也能防止天博综合体育天博综合体育天博综合体育天博综合体育中国官方网站官方网站官方网站官方网站二极管面发生灾难性光学损坏(cod)。

sec系列高功率天博综合体育中国官方网站二极管

由于其采用了单量子阱mbe结构,因此当您同时需要高功率、高耦合效率和高可靠性时,请选择这些天博综合体育中国官方网站器。

型号

输出天博综合体育中国官方网站(w)

中心波长(nm)1

光谱宽度,fwhm(nm)

天博综合体育中国官方网站4-808A-01

4

806±3

2

天博综合体育中国官方网站4-808B-01

4

803±3

2

天博综合体育中国官方网站4-808C-01

4

808±2.5

2

天博综合体育中国官方网站8-808A-01

8

806±3

2

天博综合体育中国官方网站8-808A-01

8

806±3

2

天博综合体育中国官方网站8-808A-01

8

808±2.5

2

天博综合体育中国官方网站9-915-01

9

915±10

4

天博综合体育中国官方网站9-940-01

9

940±10

4

天博综合体育中国官方网站9-975-01

9

975±10

4

1. 可根据要求提供减小的波长窗口。

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