werkstoffe
iii-V rf epitaxiewafer
言语sie effizienz，ba天博体育appbreite u天博体育appzuverlässigkeitbei der herstellung von elekgeschen hochgeschwi天博体育appigkeitskomponenten
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rf-wafer - fähigkeiten
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gerätetyp |
基本材料 |
werkstofffähigkeit |
Wafer-Durchmesser |
epihbt® |
GAAS |
ingap/gaas，藻类/gaas |
BIS ZU 150毫米 |
INP |
INP/INGAAS |
bis zu 100毫米 |
|
epibifet® |
GAAS |
ingap/gaas，藻类/gaas |
bis zu 150毫米 |
INP |
INP/INGAAS，INP/INALAS |
bis zu 100毫米 |
|
epifet® |
GAAS |
藻类/gaas，ingap/gaas |
BIS ZU 150毫米 |
INP |
INP/INGAAS，INP/INALAS |
bis zu 100毫米 |
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