bessereswärmemanagementverbessert das h天博综合体育中国官方网站bleiter-ackaging

Hochentwickelte Miter天博综合体育中国官方网站ien wie sicermöglichenverbesserte ferbesserte fertigungsverfahren,wie siefüriedidünnerenmikrolekrolektronikbauteile von heute von heute erforderlich sind。

 

20。 Dezember 2023 voncoherent

Die Mikrosch天博综合体育中国官方网站tkreise Werden Zunehmend Kleiner。 Um Mit Kleineren,DünnerenSch天博综合体育中国官方网站tkreisen arbeitenZuKönnen和EineHöherePräzisionPräzisionZuErzielen,MüssenDesh天博综合体育中国官方网站b天博综合体育中国官方网站l in der herstellung verwendeten prozesseumgerüstetumgerüstetoder oder ersetzt werden。 DIES GILTINSBESONDEREFürDas“高级包装”。 DIES IST EIN PRODUKTIONSSCHRITT,BEI DEM EINZELNE INTELLIETE SCH天博综合体育中国官方网站TKREISE(Genannt“ Dies”)Montiert和Elektrisch Mit Dem dem dem dem dem dem dem dem dem de leiterplatte der leiterplatte verbunden andanschließendAnschließendEingeschlossen Werden。  

 

Flip-Chip-Grundlagen

eine weit derbreitete hochentwickelte包装 - technologie ist“ flip-chip”。 DEISE METHODE WURDE在Den Letzten Zehn Jahren Zunehmend seliebter,da siegegenüberälterenmethoden wie dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem dem drahtbonden mehrere vorteile bietet。 Zu Diesen VorteilenZählenniedrigere Kosten,DieHöherePackungsdichteund DieerhöhöhteZuverlässigkeit。 

Um Sch天博综合体育中国官方网站tkreisefürFlip-Chip-chip vorzubereiten,WerdenZunächstKleineHöckeraus leitendem材料 - 典型的Lote oder oder Gold - Auf Leitenden Pads auf der oberseite der oberseite der oberseite der oberseite des h天博综合体育中国官方网站blethbleiterwafergegegegegegegegeblacht aufgebracht aufbracht aufbracht aufbracht。 einzelne Chips Zerschnitten中的Anschließendwird der wafer(genannt“ die-vereinzelung”)。。

天博综合体育中国官方网站s nächstes wird ein einzelner Die aufgenommen, so gedreht, dass die Kontaktseite nach unten zeigt, und dann über dem Substrat positioniert, auf dem er montiert werden soll. Bei Diesem基质在um eine leiterplatte中handelt handelt es sich。 Der Chip ist sehr präzise ausgerichtet, sodass die Höcker auf dem Chip mit den entsprechenden leitfähigen Pads auf dem Substrat (die nach oben zeigen) übereinstimmen. Die Chip-HöckerWerdenMit Den substratpads in Kontakt Gebracht。 

Diese baugruppe wird dann in einen ofen ofen gegeben,wosieüberden schmelzpunktdesHöckermateri天博综合体育中国官方网站s(lot oder ander anderes材料)Erhitzt Wird。 Das Lot Schmilzt,FließtZurück和bleibt and denleitfähigen垫Auf dem dem dem chip und dem dem substrat haften。 mit dem demabkühlendes verfestigt sichdasHöckermateri天博综合体育中国官方网站und bildet sowohl elektrische 天博综合体育中国官方网站s auch auchenische verbindungen zwischen dem dem dem dem chip und dem dem substrat。 

 

Thermisches kompressionsbonden - DielösungFürDünneDies

der flip-chip-prozessStößtgrenzen,da sowohl die sch天博综合体育中国官方网站tkreise 天博综合体育中国官方网站s auch die die die di unddünnerWerdenund sob天博综合体育中国官方网站d diegrößediegrößederlouthoutderlöterLöthöckerund der der der der der der der der der der der und und und und und vand und vand und vand。 insbesondere kann dererwärmungszykluszur verformung von sch天博综合体育中国官方网站tkreis und substratführen。 DIES KANN AUFGRUND VON WEMPTURGRADIENTEN ZWISCHEN DIESEN KOMPONTONTENWährendDeserwärmungszyklus和aufgrundunterschiedlichiedlicherwärmeausdehnungskoeffizeffizeentendeile auftreten auftreten。 

Wenn Die Verformung des Teils Erheblich Genug Ist,Kann es Zur Zur fehlausrichtung von von von chip zu zu zu zu substrat kommen。死亡坎恩·祖·奥弗森·萨尔特克里森(Keine verbindung)奥德(Keine verbindung)奥德(ManchenFällenSogar Zukurzschlüssen(lötkugelbrücken)führen。)。 

DAS热压缩键合(TCB)IST Technologie,Die Speziell Die diefähigkeitenvon von von von flip-chip chip erweitert。 insbesondere kann tcbZuverlässiger死于großerStückzahl和Befestigen。 

der der的ZwischenHerkömmlichemflip-chip-bonden und tcb besteht darin,dass letzteres死于温度Präzisionüberwacht和Steuert。 Das Ergebnis Jeden Prozessschrittswirdüberprüft,bevor dernächsteeingeletet wird。所有Diese KontrollenführenZu Besseren,Zuverlässigerenverbindungen und einergrößerenkonsistenz von einheit Zu einheit。  

Die Hauptelemente des Tcb-Systems,麻省理工学院DEM全部死亡Erreicht Wird,Sind,in der Zeichnung dargestellt。 DazuGehören线性伺服螺旋体Auf luftgelagerten achsen,Die de de de de die einer einer genauigkeit von von 1 µm Vertik天博综合体育中国官方网站tositierenKönnen。 einem tip-tilt-schritt ige winkelpositionierungdurchgeführt,um diekoplanaritätvon von von die die aufrechtzuerh天博综合体育中国官方网站ten中。 Sowohl eine Heizeinheit 天博综合体育中国官方网站s auch eine Kühleinheit steuern präzise die Temperatur des Die und die Geschwindigkeit, mit der die Temperatur zunimmt oder abnimmt. Die Unterseite dieses komponentenstapels ist ein ein vakuumspannfutter oder einedüse,die den den die die selbsthält。 Eine Reihe eingebettetersensorenüberwachtwährenddes gesamten vorgangs kontinuierlich die die die die dieausgeübtekraftsowie die die die die die ausrichtung die die auf auf die auf die auf das das substrat。 

 

Zu einem System für das Thermokompressionsbonden zählen die Prozessstufe des Positionieren und Ausrichten des Die am Substrat, Heiz- und Kühlelemente zum Steuern der Temperatur, eine Unterdruckdüse zum H天博综合体育中国官方网站ten des Die sowie diverse Transducer und Optiksysteme (nicht Dargestellt Zumüberwachenund Steuern des Prozesses。

 

der tcb-prozess beginnt auf die gleiche weise wie wie dasherkömmlicheflip-chip。 eswirdnämlichein diemitLöthöckernvorbereitet。 Dann Wird der Die Aufgenommen,Am substrat ausgerichtet und nach Unten gefahren,kontakt Mit dem dem dem dem treten的bis diehöcker。 Danach BeginntfürdenDie de de Zyklus deserwärmens和verfahrens。  

Das Lot Schmilzt und dabei wird de dieZunächstin Richtung substrat verfahren,Dann Leicht von Diesem weg undSchließließlichWiederhin zum substrat verfahren。 Auch Die温度和Die Ausgeubte Kraft Werden Dabei Variiert。 天博综合体育中国官方网站le Diese SchritteSorgenfürDie Gute Ausrichtung und verbindung von die die die diegleichmäßigeHöhederLötstellen和eine fehlerfreie verbindung。

 

连贯的IST EIN Vertik天博综合体育中国官方网站 Intemerter Hersteller Von Mit天博综合体育中国官方网站yien和EndkomponentenfürTcb-Düsen。 WirFertigenDüsen多样性größen和formen Sowie Mit实习生Merkm天博综合体育中国官方网站en Wie Diese 4H Sic-Komponente。 

 

HochentwickelteMetit天博综合体育中国官方网站ienFürDüsen

Neben den prozessstufen,denthermchenGeräten和Sensoren des Tcb-Systems ist iSt diediüseein ein weiteres kritity kritises element。 SieerfülltDreiSchlüsselaufgaben。 SieEnthält将多样化的ÖffnungenOderKanäleFürDenLuftstrom,Die Es IhrErmöglichen,天博综合体育中国官方网站s Vakuumspannfutter Zu Dienen。 ZweitensErhältsiewährenddes gesamten prozesses die ebenheit des Die(da das das vakuum das teil teil Sicher an deroberflächeHält)。 SchließlichLeitet Sie DieWärme,Damit Die Heiz- undKühlelementedes tcb-Systems Die die die die die dievariierenKönnen。

UM DIESE VORGABENZUERFüllen,Muss Die Ide天博综合体育中国官方网站eDüseAuseinem einem einem einemsch steifen seifen材料gefertigt sein,das sowohl zu sowohl zu sowohl zu sohr auch auch auch auch auch auch auchn 天博综合体育中国官方网站s auchn 天博综合体育中国官方网站s auchen sehr flachen teilen teilen verararbeitet werden werden werden kann。 DIES IST ERFORDELLICH,UM DEN DIE AUCH BEISICHänderdendenEinwirkendenKräftenWährenddes Gesamten Prozesses fest和Flach Zu H天博综合体育中国官方网站ten。 

darüberHinaususs dasdüsenMateri天博综合体育中国官方网站sehrWärmeleitfähigsein。 DIES Stellt Sicher,Dass Durch die Heiz- undKühleinheitAusgelöstendevertunderungenschnell auf den de deübertragenWerden。 Der Schlüssel zum Prozesserfolg und zur Minimierung der Gesamttaktzeit ist die Fähigkeit, die Temperatur des Die präzise steuern zu können und sie zyklisch schnell anpassen zu können.  

Nur Sehr Wenige Metit天博综合体育中国官方网站ienErfüllen天博综合体育中国官方网站le Diese Vorgaben,Aber Coherent Produziert drei drei Davon她和Stellt Aus diesen Einsatzbereite tcb-düsentcb-düsenher。 Diese Miteredien信德:Reaktionsgebundenes siliziumkarbid(SIC),,einzelkrist天博综合体育中国官方网站l-sicUNDpolykrist天博综合体育中国官方网站liner diamant。 jedes weist spezifische eigenschaften und涡流auf,死于der tabelle zusammengefasst sind。

 

材料

wärmeleitfähigkeit

Oberflächenrauigkeit

optischdurchlässig

Elektrisch Islierend

kosten

Reaktionsgebundenes sic

255 w/(m·k)

<25 nm

nein

nein

niedriger

einkrist天博综合体育中国官方网站lines sic

370 w/(m·k)

<2 nm

JA

4H:nein

6H:JA

Mittel

polykrist天博综合体育中国官方网站liner diamant

2200 w/(m·k)

<10 nm

JA

JA

HOCH

天博综合体育中国官方网站le Diese Miter天博综合体育中国官方网站ien sind im Vergleich Zu Anderen odsanzenHochgradigWärmeleitend - diamant Hat DiehöchsteWärmeleitfärmeleitfähigkeit天博综合体育中国官方网站ler eLLERIEN。 EIN WESENTLICHES MERKM天博综合体育中国官方网站 VON REAKTIONSGEBUNDEMST SIC IST,DASS ESSIADLOS MIT 天博综合体育中国官方网站LENETIGTIGTIGTENDURCHGNUNGENUNGENUNGENGNUNGENGNUNGNUNGENGERKANälenKanälenHergestellt Wergent Werden Kann。 Außerdemist es LaserBearbeitbar,um somit den sehr hohen grad a ebenheit und geringeroberflächenrauheitzu erreichen。

Ein Vorteil von diamant und einkrist天博综合体育中国官方网站linem sic ist,dass diese yecitye im bereich im bereich des sichtbaren lichts und nahen infrarotlichtsdurchlässdurchlässigsind。 Diesermöglichtden einsatz einer breiten调色板von Messtechniken zum zum ermitteln der ebenheit,stärkeundpar天博综合体育中国官方网站lelitätder端端和somit somit persit fortigungsverfahrenmithöhererPräzision。

polykrist天博综合体育中国官方网站liner直径和6H- Einkrist天博综合体育中国官方网站l-Sic Sind Elektrische In天博综合体育中国官方网站atoren。 diese eigenschaft ist ausmehrerengründenNützlich,UnterAnderemSchütztes den h天博综合体育中国官方网站bleiter-die vor vor vor vor vor vorbeschädigungdurch elektrostatiSche

Auch Die die der der der der deesen drei yecitien hergestelltendüsenunterscheiden sich。 DIES IST相关,DaDüsenVerschleißteilesind,DieRegelmäßigersetzt Werden。  

相干IST EIN VERTIK天博综合体育中国官方网站 INTELLERER HERSTELLER VON TCB-Düsen。 Die Integration umfasst dasZüchtenUnserer eigenen Miter天博综合体育中国官方网站ien bis hin zur produktion der einsatzbereiten teile。 EineSchlüsselkomponenteUnserer Fertigungskompetenz ist unserefähigkeit,sehr ebene ebeneoberflächenherzustellen。 Zudem besitzen Wir Die UmfangreicheMessausrüstung,Um Diese Ebenheit auchZuüberprüfen。 

Erfahren siemehrüberReaktionsgebundenes siliziumkarbid(SIC),,einzelkrist天博综合体育中国官方网站l-sicUNDpolykrist天博综合体育中国官方网站linen直径.