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Siliziumkarbid-leistungsmodule

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  • äußerstZuverlässigesic-mosfet-geräte

  • niedriges rds(on)(2,9MΩ〜60MΩ - NurGerät)

  • geringestreuinduktivität

  • SIC-CHIP,GeeignetFür200°C

  • Extrem Niedrige Schaltverlusteüberd天博综合体育中国官方网站 gesamt天博综合体育中国官方网站 betriebereich

  • Body-Diode Mit MinimalerSperrverzögerung

  • Dedizierter Quell-kelvin-pin

  • Si3n4-amb-Substratverfügbar